产物中央 > 朗迅集成 > LK10N60F

万博体育app官网

万博体育app官网
LK10N60F N沟道加强型高压功率MOS场效应晶体管接纳F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先辈的工艺及条状的本胞设想构造使得该产物具有较低的导通电阻、优胜的开关机能及很下的雪崩击穿耐量。

LK10N60F  N沟道加强型高压功率MOS场效应晶体管接纳F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先辈的工艺及条状的本胞设想构造使得该产物具有较低的导通电阻、优胜的开关机能及很下的雪崩击穿耐量。

特性

∗ 10A,600V,RDS(on)(典范值)=0.75Ω@VGS=10V

∗ 低栅极电荷量

∗ 低反向传输电容

∗ 开关速度快

∗ 提拔了dv/dt 才能

运用

该产物可普遍应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

万博体育app官网


姓名*
电话号码*
电子邮箱*
留言*
 
考证码
提交
上一个: LK 7N65F
下一个: 出有了
万博体育app官网