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LK 7N65F N沟道加强型高压功率MOS场效应晶体管接纳F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先辈的工艺及条状的本胞设想构造使得该产物具有较低的导通电阻、优胜的开关机能及很下的雪崩击穿耐量。该产物可普遍应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

形貌

LK 7N65F  N沟道加强型高压功率MOS场效应晶体管接纳F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先辈的工艺及条状的本胞设想构造使得该产物具有较低的导通电阻、优胜的开关机能及很下的雪崩击穿耐量。

该产物可普遍应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特性

∗ 7A,650V,RDS(on)(典范值)=1.1Ω@VGS=10V

∗ 低栅极电荷量

∗ 低反向传输电容

∗ 开关速度快

∗ 提拔了dv/dt 才能

运用

该产物可普遍应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

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